A
pesar de que el mercado no para de avanzar en este sentido, la memoria interna
de los teléfonos móviles aún parece que nos resulta exigua. Para paliar esta
creciente preocupación por el almacenamiento, un equipo de científicos
estadounidenses ha logrado crear un nuevo tipo de memoria que es capaz de
alcanzar hasta 1 Terabyte, es decir, más de 1.000 gigas.
La
memoria, bautizada como Ram Resistente (RRAM o Resistive random-access memory),
ha sido desarrollada por un equipo de investigadores de la Universidad de Rice
(EEUU) tras cinco años de estudio. Esta RRAM tiene una resistencia 100 veces
mayor a las cotidianas y puede ser fabricada con equipos y temperaturas
convencionales. La clave de este avance lo encontramos en el óxido de silicio
poroso, que es el que le ha otorgado esa súper-resistencia.
Esta
memoria interna fabricada con una tecnología similar a la que se emplea en los
discos duros de estado sólido (SSD), tiene el tamaño de un sello de correos y
será capaz de almacenar más de 30.000 canciones en mp3; todo lo que podamos imaginarnos
dentro de 1.024 gigas.
Además,
gracias al óxido de silicio, su proceso de fabricación será barato, ya que
nuestros dispositivos actuales utilizan óxido de silicio. La memoria RRAM
podría llegar a nuestros móviles en pocos años, según revela el estudio
publicado en la revista de la American Chemical Society, Journal Nano Letters.
"Nuestra tecnología es la única que
satisface todas las necesidades del mercado, tanto desde el punto de vista de
la producción como del rendimiento. Si algún día llega a aplicarse, lo cierto
es que ya no tendríamos por qué preocuparnos de errores de memoria baja”,
afirma James Tour, coautor del estudio.
“Es
más rápida y se puede guardar mucha más información en menos espacio -más de 50
veces la densidad de datos capaz de registrar la memoria en cuestión-",
comenta Gunuk Wang, coautor del estudio.
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